Transport, correlation and structural defects / edited by Hellmut Fritzsch
(Advances in disordered semiconductors ; v. 3)
データ種別 | 図書 |
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出版者 | Singapore : Teaneck, N.J. : World Scientific |
出版年 | c1990 |
本文言語 | 英語 |
大きさ | x, 305 p. : ill. ; 23 cm |
著者標目 | Fritzsche, Hellmut |
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巻 次 | 配架場所 | 請求記号 | 登録番号 | コメント | 刷 年 | 状 態 | 利用注記 | ISBN | 予約 | 請求メモ |
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射水-1階-洋書 | 428.8||TR1 | 101102309 |
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射水-1階-洋書 | 428.8||TR1 | 101124014 |
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一般注記 | Includes bibliographical references and indexes |
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件 名 | LCSH:Semiconductors -- Defects
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LCSH:Order-disorder models |
分 類 | LCC:QC611.6.D4 DC20:537.6/22 |
書誌ID | B000056131 |
ISBN | 9971509733 |
NCID | BA11721154 |
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