OPAC

Process and device simulation for MOS-VLSI circuits / edited by Paolo Antognetti ... [et al.]
(NATO ASI series ; ser. E . Applied sciences ; no. 62)

データ種別	図書
出版者	Boston : Nijhoff
出版者	Hingham, MA : Nijhoff
本文言語	英語
大きさ	xii, 619 p. : ill. ; 25 cm
著者標目	*NATO Advanced Study Institute on Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits Antognetti, Paolo

巻　次	配架場所	請求記号	登録番号	コメント	刷　年	状　態	利用注記	ISBN	予約	請求メモ
	射水-1階-洋書	549.8\|\|N57	101140309						予約		予約

一般注記	"Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits, SOGESTA, Urbino, Italy, July 12-23, 1982"--T.p. verso "Published in cooperation with NATO Scientific Affairs Division." Includes bibliographical references
件　名	LCSH:Integrated circuits -- Very large scale integration -- Simulation methods -- Congresses 全ての件名で検索 LCSH:Metal oxide semiconductors -- Simulation methods -- Congresses 全ての件名で検索
分　類	LCC:TK7874 DC19:621.381/73
書誌ID	B000052620
ISBN	902472824X
NCID	BA07247854