オシヤマ, アツシ
押山, 淳
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| 著者の属性 | 個人 |
|---|---|
| 一般注記 | NEC Symposium (2nd : 1988 : Hakone-machi, Japan). Mechanisms of high temperature superconductivity, c1989: CIP t.p. (A. Oshiyama) verso t.p. (Dr. Atsushi Oshiyama; Fundamental Res. Labs., NEC Corp., Kawasaki, Japan) data sheet (b. 9/11/52) 筑波大学物理学系教授(1995.9-) 筑波大学大学院数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻教授(2007.8現在) EDSRC:ICDS-23 : proceedings of the 23rd International Conference on Defects in Semiconductors, held in Awaji Island, Japan, 24-29 July 2005 / guest editors, Oshiyama A....[et al.](North-Holland, c2006) 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻教授(2007-2018.3) |
| 生没年等 | 1952 |
| から見よ参照 | Osiyama, Atusi, 1952- Oshiyama, A. (Atsushi) Oshiyama, Atsushi, 1952- |
| コード類 | 典拠ID=AU00047929 NCID=DA03287569 |
| 1 | コンピュータによるシリコンテクノロジー / 山本良一編 1,2. - 東京 : 海文堂出版 , 1990.4-1990.5 |